【CPU朗報】Intelさん 7nm、4nm、3nm、20オングストロームプロセスを発表！！！ [743999204]

1 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2021/07/27(火) 09:47:17.04 ID:9iu0laWd0●.net ?2BP(3000)

https://img.5ch.net/ico/001.gif
Intel Rebadges 10nm Enhanced SuperFin Node as "Intel 7," Invents Other Creative Node Names
https://www.tomshardware.com/news/intel-process-packaging-roadmap-2025
https://i.imgur.com/poXpacX.png

Intelが10nm Enhanced SuperFinを"Intel 7"にリネーム

インテルの新しいネーミングシステムでは10nm SuperFinは"Intel 7"となる
同社は現在10nm SuperFinで"Tiger Lake(11世代Core)"を製造している
次の12世代Core"Alder Lake"を10nm Enhanced SuperFinで製造予定である
"Intel 7"は番号の横にナノメートル単位を使用しないようにしているが、7nmに匹敵するトランジスタ密度と電力特性を達成していることをアピールしている
10nm Enhanced SuperFinは10nm SuperFinを10-15%超える性能/電力比の向上を達成しており、2021年にAlder Lakeとして登場予定である

Intel 7の後継はIntel 4と呼ばれ、技術的には7nmEUVノードである
Intel 4はIntel 7(10nm Enhanced SuperFin)よりも20%の性能/電力比の向上を主張している
2022年半ばに"Meteor Lake"としてクライアント向け、"Granite Rapids"としてエンタープライズ向けとして登場予定である
2022年にはTSMCとSamsungがサブ5nmノードを提供予定のためIntelはノード名に"4"を付与してと考えられる

Intel 4の後継として2023年後半にIntel 3が登場予定である
このころにはTSMCがサブ4nmノード(命名はおそらく2nm)を発表する予定である
IntelはIntel 3がIntel 4から18%の性能/電力比の向上を達成すると主張している
技術的には高密度HPライブラリの実装、EUV使用レイヤーの増加、drive-currentとビア抵抗を改善して実現するが、実際には7nmノードである可能性が非常に高い

2024年にはIntelはオングストローム(0.1nm)の時代へとブレークスルーする
20Aは2nmの創造的な呼び方である
RibbonFETと呼ばれるまったく新しいトランジスタ設計を導入予定である
これがまったく新しいイノベーションなのかnanosheet FETに類似したものなのかはわからない
Intelはまた、シリコンダイを相互に接続する革新的な方法であるPowerViaを発表している

234 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2021/07/27(火) 16:58:56.62 ID:zTiF8MWe0.net

次PC買い換える事あったらオングストロームやな