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各種デバイスの中では11年以降、DRAM（スマホやPCに使われるランダムアクセス可能なワーキングメモリ）の微
細化が若干スローダウンしているように見えるが、これは、DRAMで電荷を保持することによりメモリ動作を行うキャ
パシタ用に非常に深い孔を形成しなくてはならず、これがボトルネックになっているからだ。
しかし、どのデバイスも多少のバラツキはあるものの、微細化はとどまることなく進んでいる。
■ムーアの法則は指数関数の法則
話はちょっと横道にそれるが、図1の縦軸が対数軸になっていることの意味を説明しておきたい。
冒頭で述べたが、ムーアの法則は、2年でトランジスタの集積度が2倍になる、すなわち指数関数の法則である。
また、それに伴って、トランジスタの面積を半分にするように微細化を進める。
例えば、45nm世代の次の微細化は、次のように計算される。
32●（ニアリーイコール）●（ルート）（45×45/2）
図1のMPUの微細化が90→65→45→32→22→14nmと進んでいるのは、次々とトランジスタの面積を半分にしている
という意味がある。
よって、微細化のトレンドも指数関数的であるため、対数軸でグラフを描くのである。
ところが、これをリニアの縦軸で描くと図2のようになる。
随分、図1とは印象が異なることに気付かれただろう。
リニアの縦軸を使うと、微細化が進むにつれて前世代との差が小さくなることから、自然と「微細化が終焉する」とい
う結論が導かれてしまうのである。
実際に「日経エレクトロニクス」（日経BP社／15年4月号）でリニアの縦軸の図2を示して、09年付近で微細化が大幅
にスローダウンしていると結論付け、『さらばムーアの法則』という記事を掲載した。