日台、2nm世代向けトランジスタ技術を共同開発 [158879285]

1 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 14:27:33.60 ID:eTE1Zrypd●.net ?PLT(17151)

https://img.5ch.net/ico/marara_tya.gif
2020年12月10日
200℃以下でSi層とGe層を積層：
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発
日本と台湾の国際共同研究グループは、2nm世代に向けた積層型Si／Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET」を開発した。
[馬本隆綱，EE Times Japan]

大幅な集積化とさらなる高速化を可能に
　産業技術総合研究所（産総研）と台湾半導体研究中心（TSRI）をそれぞれ代表とする日本と台湾の国際共同研究グループは2020年12月、
2nm世代に向けた積層型Si（シリコン）／Ge（ゲルマニウム）異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET（heterogeneous Complementary-Field Effect Transistor）」を
開発したと発表した。

　電界効果トランジスタ（FET）は、微細加工技術の進展により、高い性能と低消費電力を実現してきた。
22nm世代になると「FinFET」と呼ばれる3次元的なゲート構造を持つFETへと進化。さらにその発展型としてGAA（Gate All Around）構造が登場してきた。
その先にあるのがCFET構造と呼ばれる技術で、n型FETとp型FETを上下に積層した構造である。面積を大幅に縮小でき、高速化が可能となる。

https://eetimes.jp/ee/articles/2012/09/news044.html

2 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 14:28:48.16 ID:njrN/qqd0.net

作っても間違いなく赤字だろ

3 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 14:32:58.31 ID:961XbNz30.net

物理限界

4 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 14:46:08.48 ID:hEPNe7wb0.net

黒田忠宏てスパコン詐欺の斉藤と一緒にいたやつやん
慶応から東大に転生してたのか

5 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 14:54:51.10 ID:hEPNe7wb0.net

黒田はthruchipとかいうメモリを積層するのに無線化するとかいう胡散臭いネタの人物。
斉藤がゲットした税金のスパコン予算がdram開発に流用されたことが問題視されたが、
その流用先がこの記事の黒田忠宏の技術
斉藤らはdramウエハーを薄く削るとかいう怪しげなことをしていた

当然今は有線接続によって三次元nandは作られている

6 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 14:55:15.34 ID:gTiAem5c0.net

もっとやれ

7 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 15:03:10.55 ID:rFT3FGJ50.net

無能なニセ科学批判カルトが大騒ぎ

8 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 15:11:23.21 ID:I6s4X8Dg0.net

わいの地域は二日後発売なんで

9 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 15:29:12.16 ID:o1UVYY9X0.net

分子何個分だよ

10 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 17:29:47.15 ID:wYPJHMSvd.net

連携じゃなくて台湾から教えてもらったんだろw