日台、2nm世代向けトランジスタ技術を共同開発 [158879285]

1 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 14:27:33.60 ID:eTE1Zrypd●.net ?PLT(17151)

https://img.5ch.net/ico/marara_tya.gif
2020年12月10日
200℃以下でSi層とGe層を積層：
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発
日本と台湾の国際共同研究グループは、2nm世代に向けた積層型Si／Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET」を開発した。
[馬本隆綱，EE Times Japan]

大幅な集積化とさらなる高速化を可能に
　産業技術総合研究所（産総研）と台湾半導体研究中心（TSRI）をそれぞれ代表とする日本と台湾の国際共同研究グループは2020年12月、
2nm世代に向けた積層型Si（シリコン）／Ge（ゲルマニウム）異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET（heterogeneous Complementary-Field Effect Transistor）」を
開発したと発表した。

　電界効果トランジスタ（FET）は、微細加工技術の進展により、高い性能と低消費電力を実現してきた。
22nm世代になると「FinFET」と呼ばれる3次元的なゲート構造を持つFETへと進化。さらにその発展型としてGAA（Gate All Around）構造が登場してきた。
その先にあるのがCFET構造と呼ばれる技術で、n型FETとp型FETを上下に積層した構造である。面積を大幅に縮小でき、高速化が可能となる。

https://eetimes.jp/ee/articles/2012/09/news044.html

10 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2020/12/10(木) 17:29:47.15 ID:wYPJHMSvd.net

連携じゃなくて台湾から教えてもらったんだろw