サムスンがTLC V-NANDを発表、850EVOはやくしろよ [838847604]

Samsungが第3世代のV-NANDチップとして3-bit(TLC)版を発表
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/20140808_661449.html

　Samsung Semiconductorは、新技術「V-NAND」の第3世代となる製品「3-bit/Cell(TLC) V-NAND」を発表した。
同社は、NANDフラッシュメモリの革新的技術として3D NAND技術のV-NANDを大々的に打ち出している。
V-NANDの開発と製品化を急ピッチで進めており、先月発売されたSSD「850Pro」シリーズに第2世代のV-NANDを搭載した。
そして、現在、米サンタクララで開催されているフラッシュメモリのカンファレンス「Flash Memory Summit 2014」で、第3世代チップを発表した。
昨年(2013年)のFlash Memory SummitでV-NANDを発表してからわずか1年で、3世代製品を進化させた。

3D NANDでは、従来は平面に並べていたNANDフラッシュのメモリセルを立体に積層することで、大容量化とパフォーマンスや信頼性の向上を実現する。
メモリダイを積層するのではなく、ダイの中でメモリセルを積層する。昨年の第1世代のV-NANDでは、Samsungは2-bit/CellのMLC(Multi-Level Cell)メモリセルを24層に積層した128G-bit(16GB)チップを実現した。
そして、先月発売したSSDには、MLCセルを32層に積層してメモリセル密度を高めた第2世代の128G-bitチップを搭載した。
1.5倍に積層セル数を増やすことで、メモリセル面積は70%に減ったという。
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