超低コスト超高速グラフェントランジスタを開発　SiCやGaNにも転用可能 [158879285]

1 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2021/02/04(木) 20:51:10.90 ID:ilqQBjER0●.net ?PLT(17151)

https://img.5ch.net/ico/marara_tya.gif
Beyond 5Gに資する低環境負荷な物質・デバイス商用化技術の創出
Society 5.0 for SDGsに資するキーテクノロジー

2021年2月4日

国立研究開発法人情報通信研究機構
指定国立大学法人東北大学電気通信研究所
信越化学工業株式会社
大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
指定国立大学法人東北大学多元物質科学研究所
公益財団法人高輝度光科学研究センター


発表のポイント
低環境負荷で5Gよりも一桁高いテラヘルツ（THz）帯で動作し得るグラフェン・トランジスタは、 Beyond 5Gに資するデバイスの一つです。
新たな超高品質グラフェン成長技術を創出し、従来に比してコストを大幅に削減させることを可能にし、さらにTHz帯で動作するGFETの大量生産を可能にする商用的な製造技術を開発しました。
本研究で創出した技術は、グラフェンだけでなく、5GやBeyond 5G用のSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）を用いたパワー・高速トランジスタへの転用も可能です。

概要
次世代無線通信システム（Beyond 5G）は、来るべき社会、持続可能性を担保しつつ、必要な人に必要なモノ・サービスが必要なだけ届く快適な社会（Society 5.0 for SDGs、一般社団法人　日本経済団体連合会（経団連）提唱）の基盤インフラとなるものです。
　本研究グループは、グラフェンを用いた低環境負荷かつ超高速なデバイスの革新的な製造法を創出しました。
本法は世界最高水準品質を保ちつつコストを1/100以下にすることを可能にし、さらに、グラフェン・デバイスが従来抱えていた弱点を克服することでBeyond 5Gに不可欠なTHz帯で動作するデバイスの商用化を可能にするものです。
本研究は、東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授らの研究グループと信越化学工業、高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所、高輝度光科学研究センター、情報通信研究機構（NICT）との産官学連携共同研究の成果です。

本研究成果は、2月4日にMDPIの科学誌「Nanomaterials」に掲載されます（オープン・アクセス）。

https://www.nict.go.jp/press/2021/02/04-1.html

2 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2021/02/04(木) 20:56:42.01 ID:b3ylkurw0.net

工場立ててサムスン打倒したら呼んでくれ

3 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2021/02/04(木) 20:57:01.86 ID:a/eKy8aQ0.net

やっぱり材料チックな研究は東北大だなぁ

4 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2021/02/04(木) 22:31:06.06 ID:6sPCRysv0.net

よくわかんないんだけど
コレで何がどう変わるの？

5 ：番組の途中ですがアフィサイトへの＼(^o^)／です ：2021/02/04(木) 23:59:05.34 ID:ytZHKwra0.net

>>4
発電所からの電力損失率・家電や電気自動車類の消費電力が減る